Fotoresist

Från Wikipedia
Hoppa till: navigering, sök

Fotoresist är en grupp ljuskänsliga material som används i flera industriella processer, såsom fotolitografi och fotoengravering, för att skapa en mönstrad beläggning på en yta.

Ton[redigera | redigera wikitext]

Fotoresister klassificeras i två grupper: positiva resist och negativa resist.

  • Ett positivt resist utmärks av att det till följd av ljusexponering blir lösbart för framkallningsmedlet (ofta natriumhydroxid). Genom att använda ett förarbetat mönster, en mask, kan utvalda delar av beläggningen exponeras och sedermera upplösas vid framkallning. Däremot upplöses inte de delar av beläggningen som inte blivit exponerade för ljus.
  • Ett negativt resist utmärks av att den del av fotoresistbeläggningen som belyses blir olösbar för framkallningsmedlet. Däremot upplöses beläggningens oexponerade delar under framkallningen.

Skillnader mellan tontyper[1]

Karakteristika Positiv Negativ
Vidhäftning till kisel Godtagbar Utmärkt
Relativ kostnad Dyrare Billigare
Framkallningsmedel Vattenbaserat Organiskt
Minsta detalj 0.5 μm och nedåt ± 2 μm
Stegtäckning Bättre Sämre
Våtkemisk motståndskraft Godtagbar Utmärkt

Se även[redigera | redigera wikitext]

Källor[redigera | redigera wikitext]

  1. ^ Madou, Marc (2002). Fundamentals of Microfabrication. Boca Raton, Florida: CRC Press. sid. 9. ISBN 0-8493-0826-7