Random Access Memory

Från Wikipedia
Hoppa till: navigering, sök
För musikalbumet av Daft Punk, se Random Access Memories.
Tidigt RAM av EPROM-typ.
Strukturen på en traditionell RAM-minnescell

Random Access Memory eller RAM är ett minne där man kan nå varje minnescell direkt utan att behöva läsa igenom andra delar av minnet, till skillnad från minnen som läses sekventiellt.

RAM används ofta som benämning på olika typer av läs- och skrivbart (RWM) arbetsminne, vilket kan vara förvirrande då RAM är benämningen på typen av åtkomst.

Random Access Memory är sålunda inte bara arbetsminne. Ofta är till exempel ROM, PROM, EPROM och EEPROM av RAM-typ även om de inte kan användas som arbetsminne eftersom de inte kan skrivas till, åtminstone inte utan speciella åtgärder.

Historia[redigera | redigera wikitext]

En tidig typ av skrivbara RAM-minnen var kärnminnen. Dessa utvecklades mellan 1949 och 1952 och användes i de flesta datorer fram till utvecklingen av statiska och dynamiska integrerade RAM-kretsar under sent 1960-tal och tidigt 1970-tal. Dessförinnan använde datorer relän eller olika typer av elektronrörarrangemang för huvudminnesfunktioner, det vill säga hundratals eller tusentals delar, varav vissa var "random access" och andra inte. Senare uppfanns transistorer som gjorde det möjligt att tillverka mindre och snabbare minnen.

Nutida utveckling[redigera | redigera wikitext]

Många nya typer av non-volatile RAM som behåller data även då det är avstängt är under utveckling. Tidigare direkt skrivbara NVRAM-typer var ofta batterisäkrade. Teknologierna som används är nanorör och den magnetiska tunneleffekten. Sommaren 2003 tillverkades ett 128 KB (128 x 210 bytes) magnetiskt RAM-minne med 0.18 µm teknologi. I juni 2004 visade Infineon Technologies upp en 16 MB (16 x 220 bytes) prototyp som även det var baserat på 0.18 µm teknologi Nantero byggde en fullt fungerande nanorörminnesprotoyp på 10 GiB (10 x 230 bytes) 2004. Om dessa teknologier kommer att kunna ta marknadsandelar från DRAM, SRAM eller flashbaserade minnen återstår dock att se.

Sedan 2006 har Solid state drive (flashbaserade minnen) med kapacitet över 64 GB och långt bättre prestanda än traditionella hårddiskar. Utvecklingen har börjat sudda ut skillnaden mellan traditionella RAM-minnen och hårddiskar, samt drastiskt minskat skillnaden i prestanda. Forskning sker även inom området plastmagneter, som byter magnetisk polaritet beroende på ljus.[källa behövs] Vissa typ av RAM-minnen, till exempel "EcoRAM", är specialdesignade för serverparker där låg strömkonsumtion är viktigare än fart.[1]

Typer av RAM-minnen[redigera | redigera wikitext]

Se även[redigera | redigera wikitext]

Referenser[redigera | redigera wikitext]

Den här artikeln är helt eller delvis baserad på material från engelskspråkiga Wikipedia
  1. ^ "EcoRAM held up as less power-hungry option than DRAM for server farms" by Heather Clancy 2008