IGBT

Från Wikipedia
Hoppa till: navigering, sök
Principskiss av en IGBT i tvärsnitt.

IGBT eller Insulated-gate bipolar transistor ("bipolär transistor med isolerat styre") är en typ av transistor som är en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-fälteffekttransistor och en bipolär transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric.[1][2]

IGBT-transistorer förekommer bland annat i kraftelektroniken i moderna lok. En annan, mer vardaglig, applikation av IGBT-transistorer är i vissa typer av dimrar.[3] För varvtalsstyrning av asynkronmotorer används idag IGBT mycket ofta - både som diskreta komponenter och som färdiga IGBT moduler i form av hel- eller halvbryggor.

Källor[redigera | redigera wikitext]

  1. ^ ”Tidslinje Elektronikutvecklingen 1945-1990”. aef.se. Arboga Elektronikhistoriska Förening. 20 april 2016. http://aef.se/Elektronikutveckling/Artiklar/Tidslinje_teknikutv.htm. Läst 16 januari 2017. 
  2. ^ Edwards, John (22 november 2010). ”B. Jayant Baliga: Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor” (på engelska). Electronic Design. http://electronicdesign.com/analog/b-jayant-baliga-designing-insulated-gate-bipolar-transistor. Läst 16 januari 2017. 
  3. ^ [1], läst 30 juli 2015

Externa länkar[redigera | redigera wikitext]