Darlingtontransistor

En darlingtontransistor är egentligen två transistorer kopplade i serie. Strukturen består av två bipolära transistorer där den ena transistorns emitter är inkopplad till den andra transistorns bas. De ingående transistorernas kollektorer är sammankopplade. Dess strömförstärkning kan beräknas på följande sätt om båda transistorerna är lika (se figur):

$Ib2=(\beta +1)Ib1\$

och

$Io=(\beta +1)Ib2=(\beta +1)(\beta +1)Ib1\approx \beta ^{2}Ib1$

Beta, $\beta$ , är alltså definitionsmässigt strömförstärkningen till kollektor medan man på emittern får ytterligare bidrag från basströmmen i sig.

Darlingtontransistorn uppfanns 1953 av ingenjören Sidney Darlington i Bell Laboratories. Han patenterade sin idé med att ha två eller tre transistorer sammankopplade på ett enkelt mikrochip.^[1]

Se även[redigera | redigera wikitext]

IGBT

Referenser[redigera | redigera wikitext]

^ Darlington’s Contributions to Transistor Circuit Design

Externa länkar[redigera | redigera wikitext]

U.S. Patent 2 663 806 – Semiconductor signal translating devices. (ed., "Darlington Transistor")
A Darlington Pair motor speed control circuit
ECE 327: Procedures for Output Filtering Lab – Sektion 4 ("Power Amplifier") visar Darlingtonpar i utformandet av en BJT-baserad klass-AB strömgenerator.

[DarlContrib-1] Darlington’s Contributions to Transistor Circuit Design

[1]