|
|
| Allmänt |
| Namn, kemiskt tecken, nummer |
hafnium, Hf, 72 |
| Ämnesklass |
övergångsmetaller |
| Grupp, period, block |
4, 6, d |
| Densitet |
13310 kg/m3 (273 K) |
| Hårdhet |
5,5 |
| Utseende |
Grå metallisk
 |
| Atomens egenskaper |
| Atommassa |
178,49 u |
| Atomradie (beräknad) |
155 (208) pm |
| Kovalent radie |
150 pm |
| Elektronkonfiguration |
[Xe]4f145d26s2 |
| e− per skal |
2, 8, 18, 32, 10, 2 |
| Oxidationstillstånd (oxid) |
4 (amfoterisk) |
| Kristallstruktur |
Hexagonal |
| Ämnets fysiska egenskaper |
| Aggregationstillstånd |
fast |
| Smältpunkt |
2506 K (2233 °C) |
| Kokpunkt |
4876 K (4603 °C) |
| Molvolym |
13,44 ·10-6 m3/mol |
| Ångbildningsvärme |
575 kJ/mol |
| Smältvärme |
24,06 kJ/mol |
| Ångtryck |
0,00112 Pa vid 2500 K |
| Ljudhastighet |
3010 m/s vid 293,15 K |
| Diverse |
| Elektronegativitet |
1,3 (Paulingskalan) |
| Värmekapacitet |
140 J/(kg·K) |
| Elektrisk ledningsförmåga |
3,12 × 106 S/m (Ω−1·m−1) |
| Värmeledningsförmåga |
23 W/(m·K) |
| 1a jonisationspotential |
658,5 kJ/mol |
| 2a jonisationspotential |
1440 kJ/mol |
| Stabilaste isotoper |
| Isotop |
Förekomst |
Halv.tid |
Typ |
Energi (MeV) |
Prod. |
| 172Hf |
syntetisk |
1,87 år |
ε |
0,350 |
172Lu |
| 174Hf |
0,162 % |
2 × 1015 år |
α |
2,495 |
170Yb |
| 176Hf |
5,206 % |
176Hf, stabil isotop med 104 neutron(er) |
| 177Hf |
18,606 % |
177Hf, stabil isotop med 105 neutron(er) |
| 178Hf |
27,297 % |
178Hf, stabil isotop med 106 neutron(er) |
| 179Hf |
13,629 % |
179Hf, stabil isotop med 107 neutron(er) |
| 180Hf |
35,1 % |
180Hf, stabil isotop med 108 neutron(er) |
| 182Hf |
syntetisk |
9 × 106 år |
β |
0,373 |
182Ta |
|
| SI-enheter & STP används om ej annat angivits |
Hafnium är ett silvergrått metalliskt grundämne. Hafnium används i bland annat radiorör och glödlampor. Det återfinns i zirkoniummineraler. Namnet kommer av Hafnia, som är det latinska namnet för Köpenhamn, där grundämnet upptäcktes 1923 av Dirk Coster och George de Hevesy.
Hafnium absorberar neutroner bra och används ibland i kärnkraftverk för att stoppa neutroner. Det kan också användas i legeringar med bland annat järn och titan.
En hafnium-baserad legering är en kandidat för High-K-isoleringen som kommer att användas i framtida generationers processorer. Intel och IBM har forskat inom området och har funnit att hafnium-baserade material är bättre isolatorer än kiseldioxid, vilket gör att man kan producera chip som är snabbare, mindre och mer energisnåla. Intel har nu börjat tillverka 45-nanometersprocessorer med hafnium.
Hafnium separeras från zirkonium (som har liknande egenskaper) genom vätske-vätske-extraktion.
